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日美向2纳米半导体迈出一步

2023/06/13

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半导体

      为了推动新一代半导体的国产化,日本和美国已经开始合作。日本Rapidus向美国IBM派遣了100名技术人员。目标是掌握电路线宽2纳米的时代所需的GAA(全环绕栅极)技术。在技术变革之际,日本押上了重振半导体的命运。

  

       2纳米半导体的处理性能被认为比3纳米提高10%。耗电量能降低2~3成,对生活的影响很大,包括智能手机的电池续航时间变长等。而在支撑人工智能(AI)和自动驾驶的进步方面,2纳米半导体的实现也受到期待。

 

 

       美国东部纽约州建有IBM的半导体研究设施奥尔巴尼纳米技术中心(Albany Nanotech Complex)。在这里,“日本的优秀人才和身在海外的日本技术人员开始汇聚”,IBM主管研究开发的高级副总裁达里奥·吉尔表示。

 

       Rapidus于202212月与IBM针对转移IBM2纳米技术达成合作。IBM2021年在全球率先试制出2纳米半导体,Rapidus支付授权费,向IBM学习技术。4月派出了第一批人员。

 

       人类所能掌握的最难的技术之一

 

       Rapidus正在加紧招聘技术人员。瞄准日本在半导体领域具有一定存在感的1990~2000年代前半期在大型电子企业从事开发的人才等。但是,掌握2纳米技术并非易事。

 

       达里奥·吉尔表示,“制造时需要原子级的控制。表面加工、光刻、晶体管成型和性能控制等均需达到无与伦比的精度。这是人类所能掌握的最难的技术之一”。

 

IBM高级副总裁达里奥·吉尔

 

       Rapidus将于20254月在北海道千岁市设立试制生产线。如果其准备工作取得进展,将在纽约和北海道同步推进各种开发。达里奥·吉尔表示,“重点是能否提高生产率”,强调一大目标是成功实现Rapidus力争2027年启动的量产。

 

       对于已经开始的合作,日本政府不遗余力地提供支持。日本经济产业省4月表明向Rapidus追加2600亿日元的补贴,列举了向IBM派遣人员的主要用途。

 

       日本政府和相关企业合作为重振半导体而采取行动,原因不仅仅是经济安全保障。当前正处于技术的过渡期,存在施展拳脚的机会。

 

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