NIKKEI——日本经济新闻中文版

      5月，日美两国签署了“半导体合作基本原则”，提倡推进有关尖端技术的联合研究。作为研发基地，日本经济产业省计划年内启动“技术研究组合最尖端半导体技术中心（LSTC）”。除了以Rapidus为代表的日本国内外的企业和研究机构之外，海外的机构也将参加。预计美国IBM等参加，承担尖端产品制造的关键技术的开发。

      2纳米属于技术的过渡期。这是因为随着电路变得微细，将产生某种“漏电”，高效的电流控制变得困难。各企业将采用名为“环绕式栅极技术 (简称GAA)”的新元件结构，正在解决这一问题。美国IBM曾在2021年成功试制GAA结构的2纳米半导体产品。如果充分利用基础技术，存在加快赶超的可能性。

      Rapidus的任务是与日本国内外的业内企业保持一致步调，掌握制造技术，建立有利可图的商业模式。经营首脑需要在多家企业出资、政府提供支援、与海外合作等利害关系错综复杂的背景下，以前所未有的速度推进技术开发和投资。

      “最后的机会”

      小池截至最近在存储器大企业美国西部数据(Western Digital)担任日本法人首脑。而出任会长的东哲郎也作为Tokyo Electron的首脑，曾负责与美国设备企业的合并谈判，还出任了日本国家半导体战略相关会议的主席。在日美两国的半导体行业具有人脉的2人将担负起领导这项艰巨任务的工作。

      小池留有苦涩的回忆。2000年日立制作所和台湾半导体企业UMC（联华电子）合资成立了半导体企业Trecenti技术。作为日立的技术人员出身的小池也参与了该公司的筹建，还担任了社长。

      Trecenti在世界上率先掌握了采用大口径硅晶圆的量产技术。小池描绘了代工业务的构想，但日立与UMC的步调没能保持一致，结果遭遇挫折。

      “坚信日本具备能顺利造出半导体的技术。此次是（我们）获得的最后机会”，被问及尖端半导体日本国产化计划有无胜算，小池这样回答。对于作为技术人员经历行业的盛衰、意外错失东山再起机会的自身来说，这也是一雪前耻之战。