NIKKEI——日本经济新闻中文版

      在此背景下，在水平和纵向两方向增加集成度的方法受到关注。目前正在以2个方向推进开发。

      其一是改变半导体元件的结构。目前，一种被称为鳍式场效应晶体管（FinFET）正在不断改良，还有一种使晶体管纵向集成的结构技术（环绕式栅极技术、gate-all-around，简称GAA)。制程的难度会更高，但元件的集成度也会更高。与此前相比，“漏电”更容易得到控制。IBM的尖端芯片也采用了GAA结构。

      另一个则是集成IC芯片的方法，而不是集成元件。通过将大量芯片结合起来的“芯粒”（Chiplet）形式，可以获得高于纵向堆叠的性能。只要克服热控制等课题，今后芯片的核心部分可以采用尖端技术，周边部分采用落后技术等。能以更廉价的成本实现与此前相同的性能。

      量产面临阻碍

      由于属于新技术，两者为实现量产而必须跨越的技术阻碍都很高。在此情况下，对支撑制程的设备企业的期待也随之提高。台积电（TSMC）在日本茨城县筑波市新建了“TSMC日本3DIC研究开发中心”，原因之一就是日本汇聚了半导体制造设备和原材料企业。

      有能力量产尖端半导体的企业已从此前的欧美和日本转移至台积电和三星电子等所在的东亚。不过，实现量产工序的制造设备仍处于由日美欧垄断的状态。美国的安全和新兴技术研究中心(CSET)的统计显示，从设备市场的份额（按金额计算）来看，日美欧的企业掌握88％。日本企业掌握29％。

      新制程的确立离不开设备企业。典型的是荷兰的阿斯麦（ASML）。阿斯麦实现了超微细加工不可或缺的“极紫外（EUV）”光刻的实用化。总市值截至2022年4月底超过了2300亿美元，10年时间增至10倍以上。

      极紫外光刻机对于日本的半导体产业来说曾是惨痛的回忆。率先提出该技术的是1986年任职于NTT的木下博雄。虽然日本有佳能和尼康等光刻机厂商，但技术依然处于下风。