NIKKEI——日本经济新闻中文版

　　日本大型半导体制造设备企业爱发科（ULVAC）已开始提供可提高半导体和显示器生产设备良品率（合格率）和耐久性的表面处理服务。通过特殊保护膜，防止真空设备的内壁或零部件受到腐蚀，不易排放出含有微尘和杂质的气体。爱发科计划面向最尖端半导体制造等领域开拓需求。

　　爱发科开发的耐腐蚀性表面处理技术“VACAL-Z”可在真空设备内部形成厚度为15微米左右的氧化铝覆膜。这种氧化覆膜含有无数细小的空隙（孔）。这些孔可以缓和应力，即便反复暴露在高温下，氧化覆膜也不易产生裂纹。因为不会出现裂纹，耐腐蚀性很难下降。

　　普通表面处理技术同样采用形成氧化铝覆膜（Almite）的方式，但由于没有空隙，在反复受热膨胀收缩的过程中会产生裂纹，由此导致腐蚀范围扩大。裂纹部分会产生微尘，一旦附着在生产中的半导体或显示器表面，就会造成无法顺利形成电路等不良影响。

　　用于形成覆膜的大多数电解液中含有杂质，影响制造工艺。按照以前的处理方式，杂质会被吸收到覆膜中，成为导致半导体元器件等性能降低的原因。

　　VACAL-Z处理技术通过使用不含钠、钾、磷等元素（这些元素会变成杂质）的电解液，改善了元器件的良品率。由于能够形成结晶性覆膜，与原来的处理技术相比，气体释放量也降至十二分之一。

　　最尖端的半导体不断微细化，电路线宽减至几纳米。不过，要制造微细的构造，需要能把垃圾和杂质控制在极限低水平的制造设备。