NIKKEI——日本经济新闻中文版

      美国半导体厂商美光科技将在此前起步较晚的NAND型闪存业务上从亚洲开始挽回劣势。该公司已通过新加坡的工厂启动最尖端产品的量产供货。这款产品是在世界范围内首次实现将存储单元堆叠176层的NAND闪存。美光科技通过充分利用丰厚的政府扶持等地利，力争在日趋激化的投资竞争之中赢得一席之地。

      “在DRAM和NAND两方面都获得了技术领先”，美光科技的首席执行官（CEO）桑乔伊·莫罗特亚(Sanjay Mehrotra)在1月发布2020年9～11月财报后的电话记者会上这样自信地说。

      半导体存储器分为用于数据临时存储的DRAM和用于长时间存储的NAND这2大领域。美光科技在DRAM领域掌握23％市场份额，与韩国三星电子和韩国SK海力士一起形成3家垄断的体制。但美光科技在NAND的市场份额仅为11％，排在第4位，明显落后于居首位的韩国三星电子、在设备投资方面展开合作的日本铠侠 (KIOXIA Corporation，原东芝半导体）与美国西部数据(WD）的联盟。

      NAND在智能手机和个人电脑等领域广泛使用，还不断应用于中美IT企业展开投资竞争的数据中心。增加存储容量的关键是在芯片之中堆叠存储单元的“堆叠化”。美光科技于2020年11月启动了176层产品的量产供货，并配备于自主品牌的存储器“solid state drive（固态硬盘，SSD）”。

      176层NAND实用化

      堆叠的层数越多，单位面积的存储容量也将随之增加，借此可以实现保存更多的数据或让存储设备更为节省空间。三星、铠侠—西部数据联盟仍未实现176层的产品化，目前在美光科技的竞争对手中，只有韩国SK海力士宣布2021年中期启动量产。虽然堆叠化以外的技术和产品的良品率也将对谁能赢得竞争产生影响，但在176层产品方面的领先地位有可能成为挽回劣势的基础。

美光科技在新加坡启动了最尖端NAND的量产

      支撑美光科技NAND业务的是其在新加坡的基地。1998年通过从其他公司收购业务进驻新加坡，进入2010年代后相继推进大型投资，截至目前累计投入1.5万亿日元以上。2019年，第3座NAND主力工厂的厂房竣工。美光科技全球运营执行副总裁Manish Bhatia指出，该工厂的特点是“正在将开发、制造和品质管理等功能集中于一处”。