NIKKEI——日本经济新闻中文版

      英特尔通过在使堆叠起来的芯片纵向贯穿的电极方面下工夫等措施，攻克了难题。英特尔副总裁Chris Walker充满信心地表示“（这一技术）将成为推动个人电脑行业发展愿景的试金石”。2021年以后，预计在多个机型上应用。

      背后存在英特尔在左右半导体性能的“微细化”方面落后这一危机感。写入芯片的电路的线宽越细微，越能增加晶体管的搭载量并推动半导体的性能提升。

      在半导体微细化技术方面领先的台积电今年开始向美国苹果供应5纳米（纳米为10亿分之1米）产品。韩国三星电子也将推进供货准备。

      另一方面，英特尔在属于1代之前的7纳米的CPU开发上耗费时间，预计量产最早也要等到2022年。在7月的财报发布会上，该公司首席执行官（CEO）鲍勃·斯万(Bob Swan)表示“将在紧急对策的范围内，讨论将生产委托给（外部）”。

      电路的线宽越是微细化，半导体量产所需的设备投资也将膨胀。要新建最尖端的5纳米工厂，需要数万亿日元规模的资金。英特尔的2019年研发（R&D）和设备投资费用达到296亿美元。

      半导体行业相关人士指出，为走出困境，“英特尔在微细化仍然落后的情况下，抢在竞争对手之前启动了3D堆叠技术的开发”。如果以立体形式堆叠芯片，即使是相同电路宽度，也能增加搭载的晶体管数。不过，要实现赶超并非易事。

      台积电正通过与客户的合作来推进3D技术的开发。眼下，台积电似乎与谷歌在私底下合作，准备最早在2022年启动3D产品的量产。

      三星电子8月宣布，采用3D封装技术的7纳米半导体的试制取得成功。该公司高管表示“如果利用3D这种创新，就能够跨越半导体的极限”。

      英特尔联合创始人戈登·摩尔(Gordon Moore)1965年提出了CPU性能在1年半～2年里翻一番的“摩尔定律”。不过，拉动过去50年发展的微细化技术正在接近物理的极限。