NIKKEI——日本经济新闻中文版

       半导体的电路线宽越细，运算处理和存储容量的性能越好，耗电量也将下降，因此半导体厂商一直竞相开发微细化技术。自2010年前后起，技术发展开始停滞，但极紫外线（EUV）光刻这一新技术问世，作为打破目前极限的突破口而受到期待。

三星的产品（资料图，kyodo）

       极紫外线光刻设备由荷兰的ASML垄断，价格被认为每台约合150亿日元，要建立生产线，需要数千亿日元规模，没有资金实力和技术实力难以启动投资。

       世界第3大代工企业美国格芯（Global Foundries）难以承受巨额负担，放弃了电路线宽14纳米以后的开发。排在第4位的台湾联华电子（UMC）也没有取得进展。

       有能力展开巨额投资的仅限于三星、台积电（TSMC）和美国英特尔这“半导体3强”。

       极紫外线光刻：在硅基板上形成半导体微细电路的光刻技术之一。光源采用波长13.5纳米这一极短的极紫外线（EUV）。光源的波长越短，越能形成微细的电路，能进一步提高半导体的性能。不过，技术门槛很高，只有荷兰ASML一家企业能制造设备。佳能和尼康已放弃开发。