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台积电将在熊本第二工厂量产6纳米芯片

2023/10/16

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半导体

      日本经济新闻(中文版:日经中文网)获悉,台积电(TSMC)计划在日本国内制造电路线宽6纳米的日本最尖端半导体。将在正在讨论建设的熊本第二工厂生产。总投资额约为2万亿日元,日本经济产业省考虑最多提供9000亿日元左右的资金支援。

 

       日本政府将把包括台积电新工厂在内的半导体支援措施写入最快10月内出台的经济对策。日本经济产业省在2023年度的补充预算案中合计列入了3.355万亿日元。将增加用于支援半导体的“后5G基金”和“尖端半导体基金”等。今后将与日本财务省协商,确定最终金额。

 

       半导体的性能随着线宽微细化而提高。目前日本只能生产40纳米水平的半导体。从尖端产品来看,预计今后5G和人工智能(AI)领域的需求将会增加。

 

       台积电自20224月开始在熊本建设半导体第一工厂。生产尖端产品的第二工厂预计2024年夏季之前动工,2027年开始量产。力争每月量产6万个左右。预计量产线宽6纳米和12纳米的运算用逻辑半导体,计划销售给索尼集团等。

 

正在建设的熊本第一工厂

 

       预计总投资为1.2万亿日元左右的第一工厂将量产1228纳米的半导体。新的第二工厂在投资规模和产品性能上将超过第一工厂。台积电已开始在台湾量产3纳米芯片,如果第二工厂投产,日本也将实现6纳米的量产。

 

       有分析认为,第二工厂投产后,到2037年,与第一工厂合计的法人税和固定资产税等税收将超过注入的补贴金额。随着第二工厂的投产,相关的台湾企业也有进驻日本的打算。

 

       除了面向台积电之外,经济产业省在另外的补充预算案中,为力争2027年在日本国内量产最尖端半导体的Rapidus追加要求5900亿日元,用于量产所需的试制生产线的设备投资等。到目前为止已向Rapidus补贴了3300亿日元。

 

       预计美国英特尔将获得500亿日元补助,用于半导体的组装和加工等“后工序”的研发。英特尔计划与日本的半导体材料制造商等合作,推进尖端产品组装的自动化技术的开发。

 

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