NIKKEI——日本经济新闻中文版

       日本企业正在加紧推进配备在纯电动汽车（EV）上的功率半导体使用的新一代晶圆的实用化。这是一种由“氧化镓（GaO）”制成的晶圆，新兴企业Novel Crystal Technology最早将于2025年开始量产。由于这种晶圆有助于提高纯电动汽车的性能等，日本企业在纯电动汽车供应链中的存在感有望提高。

       “无论是性能还是成本，都能胜过碳化硅（SiC）。最终目标是全面转向氧化镓”，Novel Crystal社长仓又朗人表露出与纯电动汽车开始使用的碳化硅进行对抗的决心。2023年上市后，计划2025年在埼玉县狭山市内的工厂等每年生产2万枚100毫米晶圆，到2028年量产生产效率更高的200毫米晶圆。

使用Novel Crystal的氧化镓的半导体基板

       功率半导体是延长纯电动汽车续航距离和高效充电所必需的主要构件之一。可用于将通入马达的直流电转换为交流电的逆变器，以及将充电时的电流由交流转换为直流的车载充电器（On Board Charger）等。

       转换电流时的功率损耗越小，续航距离越长，越能承受高电压，就越能支持快速充电。这种性能因功率半导体基板使用的材料不同而存在差异。在基板材料中，目前硅的占比高达99％，但抗压性更好、功率损耗更小的材料的开发和采用也取得进展。

       近年来碳化硅的应用范围不断扩大，被认为可使耗电量比硅减少5～8％。由于可为延长纯电动汽车的续航距离做出贡献，美国特斯拉将其用在了量产车上，实用化取得进展。碳化硅之后的新一代材料是氮化镓（GaN）和氧化镓，氮化镓的节能性能等高于氧化镓。

       可降低EV成本并延长续航距离

       仓又社长之所以自信地认为氧化镓比备受关注的碳化硅更占优势，其依据是Novel Crystal拥有可将成本降低到三分之一的自主工艺。在耐热容器中，把作为材料的氧化镓溶解，使其接触种晶，然后逐渐降温，制作出单晶体。该公司使用这种被称为“溶液生长法”的工艺，在世界上率先确立了可在防止晶体内缺陷“双晶”的情况下制作单晶体的技术。