NIKKEI——日本经济新闻中文版

       日本产业技术综合研究所（简称产综研）成功试制了把受到关注的新一代功率半导体材料碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）合为一体的半导体。要实现电子产品和纯电动汽车（EV）的节能化，用于电力转换的功率半导体是必不可少的。通过结合两种特性不同的材料，兼顾较高的转换效率和可靠性。

日企的碳化硅半导体（资料图，与本文无直接关联）

       碳化硅和氮化镓用于功率半导体的基板。与采用硅的通常的功率半导体相比，电力的转换效率更高。碳化硅的可靠性更为卓越，应用于铁路车辆和纯电动汽车，而氮化镓的运行效率高，应用于智能手机的快速充电器。例如，美国特斯拉的部分主力纯电动汽车的逆变器上应用了碳化硅半导体。

       产综研在碳化硅基板上制造二极管和氮化镓的晶体管，开发出了兼具两方面优点的半导体。在位于茨城县筑波市的研究基地“TIA”，成功进行了采用直径100毫米基板的功率半导体的试制和试运行。

       该半导体支持的电流在试制阶段约为20毫安，今后将为了实用化而开发支持10安培以上电流的功率半导体。未来力争应用于小型纯电动汽车搭载的逆变器、以及光伏太阳能发电设备的电源调节器（电力转换装置）。

       围绕新一代功率半导体，旨在引进氧化镓和钻石等其他新材料的研究开发也在推进。

       不过，这些材料的全面普及被认为需要较长时间。产综研的先进功率电子研究中心功率器件团队的研发负责人原田信介表示，“通过（现有的碳化硅和氮化镓的）组合，能使技术无缝衔接”。