NIKKEI——日本经济新闻中文版

　　源自东北大学的初创企业C&A与东北大学教授吉川彰的研发团队开发出一种技术，能以此前100分之1的成本制造有助于节能的新一代功率半导体的原材料“氧化镓”。新技术不需要昂贵的设备，成品率也将提高。计划在2年内制造出实用化所需的大尺寸结晶。

制造出的氧化镓结晶的大小约为5厘米（图由东北大学吉川教授提供）

　　研发团队开发出了通过直接加热原料来制造氧化镓结晶的设备，制造出了最大约5厘米的结晶。将原料装入用水冷却的铜质容器，利用频率达到此前约100倍的电磁波，使原料熔化。

　　传统方法是加热使用贵金属铱制造的容器，熔化其中的材料，制造结晶。要制造直径约15厘米的实用性结晶，仅容器就需要3000万～5000万日元，还存在结晶的质量不够稳定等课题。

　　据称由于不需要昂贵的容器等原因，利用新方法能以目前约100分之1的成本制造氧化镓结晶。力争在2年内制造出直径15厘米以上的结晶。

新方法不采用贵金属铱，利用铜容器制造结晶（图由东北大学吉川教授提供）

　　现在的功率半导体主要把硅用于基板，但课题是会产生电力损耗。氧化镓与碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等一起，作为新一代材料受到期待。据称氧化镓的电力损耗在理论上仅为硅的约3400分之1、碳化硅的约10分之1。

　　如果纯电动汽车（EV）的马达驱动用电源采用氧化镓制的功率半导体，就算电池容量相同，也能行驶更远距离。C&A和东北大学的团队将利用新方法降低此前成为瓶颈的生产成本，推动实用化。