NIKKEI——日本经济新闻中文版

       日本从事半导体研发的Novel Crystal Technology（NCT，埼玉县狭山市）发布消息称，该公司与日本酸素控股旗下的大阳日酸、东京农工大学一起，成功实现了氧化镓功率半导体的6英寸成膜。由于可在较大晶圆上成膜，估计可大幅削减晶圆生产成本。氧化镓功率半导体被期待帮助纯电动汽车（EV）等减少电力消耗。

在6英寸晶圆上成膜的场景

      这是作为日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）的战略项目实现的研发。大阳日酸和东京农工大学开发了可按6英寸晶圆进行成膜的装置。

      以往的技术只能在最大4英寸晶圆上成膜，NCT在世界上首次实现6英寸的成膜。有助于削减生产成本，有望把成本降到“碳化硅（SiC）功率半导体的三分之一”（NCT相关人员）。

      据NCT预测，氧化镓晶圆的市场到2030年度将扩大到约590亿日元规模。该公司的目标是在确立晶圆量产技术后，2024年度销售晶圆的量产装置。将销售给大型功率半导体厂商，用于实现纯电动汽车等的节能。