罗姆量产5G基站用新一代氮化镓功率半导体
2022/02/11
罗姆将在2022年春季之前开始量产被视为新一代半导体的氮化镓(GaN)半导体。这是能提高供电和控制效率的“功率半导体”,据称和此前的硅半导体相比,新产品能把电流切换时的损耗减少6成。罗姆将在日本滨松市的工厂建设生产设备,首先面向5G基站等供货。
氮化镓功率半导体不适合需要高电压和大电力的电动列车和纯电动汽车(EV)等,但在需要以高频度切换电流的数据中心和通信基站领域具有需求。罗姆的功率半导体的特点是,具备即使暂时发生较高电压、也不易损耗的自主结构。
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| 罗姆自2021年启动样品供货的氮化镓半导体 |
罗姆将量产能承受150伏电压的产品,用于数据中心和通信基站。在2021年9月,已经启动样品供货。新产品采取在硅晶圆之上形成氮化镓层的结构,包括滨松市工厂在内,罗姆将在海内外各基地进行生产。
围绕滨松市工厂的设备投资,由于对日本国内的脱碳化有益,根据日本的产业竞争力强化法,享受了一定的税费减免措施。
除了氮化镓半导体以外,罗姆还在量产新一代碳化硅(SiC)功率半导体。碳化硅功率半导体更高耐压,将面向纯电动汽车的核心零部件销售,实现两种功率半导体的分栖共存。
罗姆力争在2025财年(截至2026年3月)之前,使半导体元件业务的营业收入达到目前的1.5倍,增至2100亿日元规模。
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