日本要用半导体“纳米压印”技术逆袭
2021/11/11
不过,全面普及也面临课题。其一是微小垃圾的影响。纳米压印是将掩膜直接压在晶圆上,垃圾附着导致的残次品的发生率也将随之提高。为了减少制造时垃圾的发生,有必要携手设备和原材料厂商,推进改良。
或成日本企业实现逆袭的一步
新建尖端半导体的工厂,需要数千~1万亿日元规模的投资。如果能减少数百亿日元的设备投资和制造时的运行成本的纳米压印得到实用化,对于在资金实力和成本竞争力上落后于世界领先企业的日本半导体产业来说,有可能成为实现逆袭的一步。
在半导体的世界市场,日本企业目前的份额在1成以下。以运算用半导体为例,线宽在40纳米以下的产品基本委托台积电等海外厂商代工。正如日本举政府与企业之力吸引台积电在熊本县新建工厂一样,具有投资能力的仅为一部分企业。
美国半导体产业协会(SIA)汇总的调查显示,从运营存储器工厂的成本来看,中国大陆和韩国等,与日本和美国之间存在2~4成的差异。这是因为政府的补贴和优惠政策充实,同时电力和人工费也比日本等更为低廉。纳米压印将有助于提升竞争力。
在制造设备领域,日本企业掌握全球约3成份额,但用于线宽10纳米以下的极紫外设备被ASML垄断。纳米压印具备开辟新天地的可能性。
大日本印刷的负责人表示“终于有了技术上的眉目,来自半导体厂商的洽询正在增加”。虽然实用化仍面临课题,但各界对源自日本的制造技术的期待很高。
日本经济新闻(中文版:日经中文网)佐藤雅哉
纳米压印:是指在属于半导体基础的硅晶圆表面涂布感光树脂、压上带有凹凸的原版(掩膜)、转印电子电路图案的半导体制造技术。只要预先在掩膜上制作成为范本的电路形状,即使是复杂结构也能一次性形成。这比此前的光刻技术更为省电,还具有能压缩制造时的运行成本和设备投资的优势。
另一方面,与目前的半导体制造方法相比,存在生产效率下降的风险。存在的课题是,由于晶圆和掩膜直接接触,容易出现电路上混入细小垃圾和灰尘等的残次品,要实现实用化,仍必须进行制造技术和运用方面的改良。
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