NIKKEI——日本经济新闻中文版

      铠侠则力争在自身的闪存生产线引进纳米压印。将来，在新涉足比15纳米更加微细的半导体之际，有可能充分加以利用。

      日本以外的半导体厂商也在关注纳米压印。由于需要设备和原材料等广泛技术，日本暂时走在前面，如果实现实用化，将是世界首次。

      制造成本降低4成，耗电量降低9成

      目前，线宽微细的尖端半导体在光刻工序中采用被称为“极紫外（EUV）”技术的设备，全球只有荷兰ASML生产这种设备。该设备1台被认为需要约200亿日元左右，还需要专用的测试设备和耗费大量电力。如果引进纳米压印，部分昂贵设备可以省去，在大规模工厂，有望以数百亿日元规模减少设备投资额。

      美国英特尔今年3月宣布在美国亚利桑那州投入200亿美元建设工厂。世界最大半导体代工厂商台积电（TSMC）也计划投入120亿美元，在该州建设工厂。对半导体大企业来说，以万亿日元为单位的巨额设备投资成为瓶颈。

      纳米压印能省掉成本巨大的光刻工序的一部分，与极紫外光刻相比，能将该工序的制造成本降低4成，耗电量降低9成。

      在电价高于其他国家的日本以及电力短缺严重的国家和地区较容易引进，还能同时满足推进二氧化碳减排的半导体企业的需求。眼下，投资者等要求削减制造阶段二氧化碳排放量的呼声正在加强。

      2020年下半年浮出水面的全球半导体短缺目前进一步加剧，半导体厂商推进增产的投资意愿正在提高。目前短缺的半导体大部分能利用纳米压印，在广泛半导体的生产方面值得期待。