NIKKEI——日本经济新闻中文版

      针对AlN部分的厚度为0.5mm的（使用新开发的AlN基板制成的）金属镀膜基板，进行了从摄氏零下40度到零上150度的冷热循环试验，结果循环超过3000次，都没有发生断裂。而采用传统AlN基板的金属镀膜基板，在AlN部分的厚度为0.635mm，实施同样的冷热循环试验下，循环600次就发生了断裂。

    厚度不到一半的热界面材料

      此次开发的散热片是适用于冷却CPU（中央处理器）及GPU（图形处理器）等的TIM（热界面材料）垫片。特点是比传统TIM垫片更薄。普通TIM垫片的厚度为0.5mm左右，而开发品的厚度只有0.2mm，因此可以降低热阻。

添加了“Thermalnite”的TIM垫片只有0.2mm厚（摄影：日经XTECH）

      之所以能减薄，是因为机械强度高。如果强度低，则容易断裂，导致加工困难。

      在TIM垫片中添加的“Thermalnite”呈纤维状，因此可以增加机械强度。机械强度增加到接近原来2倍。“Thermalnite”也使导热率提高到了5W/m·K。

      U-MAP将于2024年量产AlN基板。生产将由合作伙伴冈本硝子进行。TIM垫片的产品化也正不断推进，计划2023年内供货样品。据说最快2024年下半年实现量产。

    关键词：氮化铝（AlN） 

      氮化铝（AlN）：铝与氮的化合物。同时具有电绝缘性以及像铝一样的高导热性。氮化铝被用于封装功率半导体的绝缘基板及封装激光元件的Submount（基台）等。添加杂质后，可以作为半导体使用。由于其禁带宽度非常大，因此用于发射短波长紫外线（远紫外线）的元件和功率半导体。AlN有比SiC（碳化硅）更大的禁带宽度，介电强度高，因此理论上被认为可以制作比SiC更低损耗的功率半导体元件。

      根津祯 日经XTECH

      资料来源：日经XTECH

      https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/00001/08308/

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