NIKKEI——日本经济新闻中文版

       瑞萨电子8月30日宣布，开始供应电动汽车用功率半导体新产品的样品。该产品叫做IGBT（绝缘栅双极晶体管），使用硅，用于负责纯电动汽车（EV）马达控制的逆变器。采用新的量产技术，电力损失比该公司旧有产品减少1成，尺寸也减小了1成。

新产品尺寸和电力损失均缩小

       新产品将从2023年上半年开始在茨城县那珂工厂量产，从2024年上半年开始在山梨县甲府工厂生产。该工厂将成为功率半导体专用生产基地。

       小型芯片也提高了电力效率，该公司表示“作为IGBT将发挥行业最高性能”。还降低了每种元件的偏差等，有利于提高逆变器性能和小型化。

       新产品将与瑞萨的其他半导体和软件搭配提供。除了与该公司关系深厚的欧洲及日本车载部件厂商外，还将满足存在感日益增强的中国等新兴厂商的需求。

       关于IGBT产品的销售结构，出席30日的说明会的小西胜也功率系统业务部部长表示，“现在国外占50％左右，希望用3～4年提高到7成左右”。