NIKKEI——日本经济新闻中文版

　　日本大阪大学、三重大学、美国康奈尔大学的研究团队开发出了用于“6G”的半导体成膜技术。研究团队开发出了去除成膜过程中产生的杂质的方法，把晶体管材料的导电性提高到原来的约4倍。计划应用于产业用途，例如在高速无线通信基站上增幅电力等。

开发出的新材料可用于新一代高速通信（图片由大阪大学助教林侑介提供）

　　实现超高速通信需要导电性强的晶体管。在基板上分别层叠电子生成层和电子转移层的高电子迁移率晶体管（HEMT）备受关注。不过，现在电子生成层大多使用的氮化铝镓（AlGaN）中，导电性强的氮化铝（AlN）的含有率为20～30％，新技术有望提高氮化铝的比率。

　　研究团队开发出了用氮化铝代替氮化铝镓的高电子迁移率晶体管（HEMT）制造技术。原来在成膜过程中氮化铝表面发生氧化，由此产生的氧杂质改变氮化铝的结晶，难以获得高导电性。通过形成非常薄的铝膜，还原表面的氧化膜，并使其挥发，解决了这一问题。由此，将导电性提高到原来的3～4倍。

　　特点是不需要使用价格高的氮化铝基板，可以在直径约5厘米的较大蓝宝石基板上实现这一构造。不过，这次是利用研究用的方法成膜，研究小组计划换成更实用的方法，在1年内试制出高电子迁移率晶体管。