NIKKEI——日本经济新闻中文版

　　各半导体厂商将积极投资控制电力的功率半导体。瑞萨电子2025年将推出使用碳化硅（SiC）的高效率型产品，罗姆和三菱电机也将相继增产。除了纯电动汽车（EV）外，随着生成式AI的问世，来自数据中心的需求迅速扩大。

SiC半导体的电力效率比原有产品高（罗姆的SiC半导体）

　　瑞萨已从7月开始出货使用SiC材料基板的功率半导体样品。将从美国大企业采购基板，2025年在高崎工厂开始量产SiC产品。已停工的甲府工厂也会重新启动，将把与硅半导体合计的产能提高到过去的2倍。合计投资额约为1000亿日元。

　　SiC是碳与硅的化合物，能承受比传统硅更高的电压和更大的电流，可以减少电力消耗。SiC功率半导体装入EV驱动装置中，可以延长行驶距离，此外来自数据中心的SiC需求也迅速扩大。

　　随着广泛产业利用AI，数据处理量和耗电量猛增。全球数据中心的耗电量到2030年将达到6700亿千瓦时，是2018年的大约4倍。大量使用电力的服务器的节能成为课题，高效率的功率半导体越来越重要。

　　SiC产品的价格比硅产品高3～4倍，“在推进大型投资的数据中心领域，把电力效率高的SiC用于服务器的情况越来越多”（名古屋大学的山本真义教授）。

　　在2010年代中期，功率半导体以硅半导体为主，课题是电流通过时部分会作为热量流失。从2010年代后半期开始，SiC使用的保护膜的绝缘性能提高，电力损失减少，耐用性也提高。

　　日本企业罗姆在全球SiC产品市场占有很高份额。该公司将于2024年末在宫崎县启动SiC功率半导体新工厂。面向SiC领域总体投资5100亿日元，到2027财年使SiC功率半导体的销售额增至2022财年的9倍，达到2700亿日元。