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美国为重振半导体发起总反攻

2021/07/28

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半导体

      美国已开始竭尽全力恢复半导体产业的雄风。美国英特尔7月26日在技术说明会上宣布,从智能手机半导体巨头美国高通和最大云平台提供商亚马逊网络服务公司(AWS)获得代工订单。拜登政府正在促进生产回归国内,波及使用半导体的相关产业、国家和地区的总反攻正在燃起。

 

      “2025年跃居首位”

 

      英特尔提出了正式进入代工业务、争取增长市场的方针。此次列举了高通和AWS等利用新一代半导体代工的企业名称,有分析师认为,英特尔的计划体现出了“不止英特尔1家企业,而是要举全美国之力恢复竞争力的决心”。

 

英特尔CEO帕特·基辛格宣布“2025年达到业内首位”(英特尔供图)

  

      英特尔已宣布投入200亿美元,在美国西部亚利桑那州建设新工厂,还计划年内宣布在美国和欧洲增强产能的投资计划。此外有报道称,英特尔为了以300亿美元规模收购全球第4大半导体代工厂商的美国格罗方德(Global Foundries),正在推进谈判。

 

      英特尔1990年代在个人电脑CPU领域的半导体技术引领了全球,但进入2000年代后失去了强劲势头。英特尔采用从开发到生产均自主参与的垂直整合模式,但高通等委托外部生产的无厂企业崛起。台积电和韩国三星电子等以承接智能手机等最尖端半导体量产技术的形式推进了经验积累。

 

      美国的半导体产业随着无厂企业的崛起降低了产能。美国半导体产业协会(SIA)的统计显示,美国占世界半导体产量(按产能计算)的份额从1990年的37%降至2020年的12%。另一方面,1990年接近于0%的台湾迅速增加至21%。

 

      英特尔的竞争力下降还将影响倡导加强半导体国内基础的美国政策。如果不能挽回落后于台积电和三星的局面,尖端半导体生产偏重于东亚的局面将无法改变,不仅是半导体产业,还有可能对美国的IT和军事等的各方面竞争力产生影响。

 

      以中美关系恶化和供不应求为契机,美国政府正在加快在本国确保半导体制造基础的行动,美国国会参议院表决通过了在5年内向在国内拥有工厂和研发基地的企业提供补贴等总计5.7万亿日元的法案,开始推进半导体的自主生产。

 

      “到2024年赶上竞争对手的性能,2025年跃居首位”,英特尔CEO帕特·基辛格(Pat Gelsinger)在说明会上强调。计划2023年供应电路线宽为7纳米的产品,每年推出新一代半导体产品。

 

      为了提高性能,还将加快微细化以外的技术开发。到2024年推出的半导体将大幅改变基本结构。计划充分利用纵向堆叠半导体的三维堆叠等技术,减少耗电量和提高性能。但是,领先的台积电已经量产5纳米半导体,2022年将开始量产3纳米。在微细化方面落后的英特尔的计划也显示出焦虑。

 

      在今后开发计划中关于微细化的表述就透露出了这种焦虑。英特尔取消了在半导体行业成为性能大致标准的线宽为多少纳米这一表述。例如此前被称为7纳米的半导体改为“英特尔4”。其理由是难以体现功率效率和性能的全貌。

 

      实际上,有观点指出英特尔的7纳米芯片具有相当于5纳米的性能,但在开发竞争方面落后的情况并未改变。这也是在最尖端半导体的开发竞争中该公司处于严峻境地的证明。

 

      英特尔对卷土重来显示出自信,但阻碍很高。英国调查公司Omdia的南川明指出,“即使能追上台积电,也需要3~4年时间。就算在制造样品之前进展顺利,也难以确保量产的成品率(生产效率)”。

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