NIKKEI——日本经济新闻中文版

　　在50多年的时间里，半导体的性能通过电路线宽微细化取得了飞跃性进步。关于一块芯片上集成的元件数量，英特尔1971年发布的首个CPU（中央处理器）约为2300个，苹果最新的“M1”芯片为160亿个，增加到约700万倍。

　　但进入2010年代以后，电路线宽开始逼近原子大小，微细化越来越接近极限。在要求更高性能的AI时代到来之前，除微细化之外，还需要其他的突破来提高性能和降低耗电量。利用自旋性质的MRAM是有力候选。

　　日本在MRAM研发领域领先。日本经济新闻（中文版：日经中文网）在日本专利调查公司Patent Result的协助下，调查了MRAM有效专利数量（日本国内）。结果发现，铠侠（KIOXIA，原东芝存储器）、索尼集团、东北大学等跻身前十。日本的企业和大学在美国专利排行榜中也名列前茅。

　　索尼集团在6月举行的国际学会上发布了可与主力产品CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器层叠的MRAM技术。用一块芯片来完成照片拍摄、图像处理、数据保存，使手机摄像头有望实现小型化和高速运行。

　　日本产业技术综合研究所开发出了采用特性均一的单晶记忆元件的MRAM制造技术。要想在数据中心等使用的AI运算半导体中使用MRAM，需要制造微细的记忆元件。与现行的多晶产品相比，单晶记忆元件更容易推进微细化。日本产业技术综合研究所的汤浅新治表示，“希望5～10年达到实用化”。

　　在MRAM的制造设备方面，东京电子和爱德万（Advantest）开展相关业务。日本经济产业省6月提出振兴半导体产业的战略，也有可能助力日本企业恢复国际竞争力。

　　在海外企业中，美国半导体初创企业Ambiq Micro开发出了嵌入MRAM的省电微控制器。中国OPPO等手机厂商决定在智能手表上采用。