NIKKEI——日本经济新闻中文版

      关于这一点，在大型民间智库台湾经济研究院担任半导体分析师的刘佩真强调，对于今后半导体性能的提高，主要是3个方面非常重要。指出1纳米以下芯片的开发、三维封装技术开发、采用取代硅晶圆的氮化镓（GaN）等第3代新材料的开发这3个方面变得重要。

     为了阻止台积电的一枝独秀，三星和英特尔等竞争对手正在从这3个方面尝试瓦解台积电。

      美国IBM于5月6日宣布，成功制造出2纳米芯片的试制品（测试芯片），久违地震惊了行业。虽然和英特尔存在竞争关系，但两家企业3月为重振美国半导体行业而合作，启动尖端封装技术的开发，成为象征性案例。

      迎击对手的台积电也于5月31日宣布，将在日本茨城县筑波市设立新基地，与20多家日本企业合作开发三维封装技术。台积电还在6月2日召开的说明会上表示，到2022年底将建立5座三维封装专用工厂进行量产（魏哲家）。

     中国大陆企业也不容小觑。中国2020年10月召开的一次重要会议提出，将大力开发采用被称为第3代半导体材料的氮化镓、碳化硅（SiC）的晶圆。中央领导层下达举全国之力加紧开发新材料的指示实属罕见。围绕“后2纳米”的竞争在各个国家呈现出白热化状态，目前的情况是“还看不到在下一代半导体方面掌握主导权的企业”（业界相关人士）。

      在全球范围内半导体持续短缺的情况下，业界传出了产能扩大跟不上、供应不稳定的声音。英特尔首席执行官帕特·基尔辛格（Pat Gelsinger）5月31日指出，“以新冠疫情为契机，半导体需求出现爆发性增长。还需要几年时间才能解决半导体短缺问题”。

台积电创始人张忠谋（Reuters）

     台积电的各生产基地目前也面临资源不足。为了量产3纳米产品，目前正在台湾南部的台南市建设大型新工厂，但由于人手不足，“竣工时间比原计划大幅推后”（日本一家供应商的高管）。台湾的新冠新增感染人数猛增也对建厂计划造成了打击。

      台积电在美国亚利桑那州建设的新工厂预定2024年开始在海外首次生产尖端半导体，将从台湾为该工厂分配人力资源，有人称，“费用可能是当初计划的6倍”（日本供应商的高管）。成本问题也浮出水面，不仅是技术，经营方面的课题也不少。

     台积电创始人张忠谋也指出在美国生产成本会提高。虽然台积电计划在未来3年内进行大约11万亿日元的设备投资，但越来越多的观点认为，成本负担有可能会成为今后的重大经营课题（洪春晖）。

     日本经济新闻（中文版：日经中文网）中村裕 台北