NIKKEI——日本经济新闻中文版

　　韩国三星电子12月20日宣布，已启动新型DRAM（动态随机存储器）的量产。该存储器的电路线宽为最尖端的10纳米（10亿分之1米）级。三星通过微细化将生产效率提高了3成，将应对全球不断增长的数据中心需求。三星在半导体存储器领域居全球首位，将在尖端产品的量产方面领跑，以甩开美国、日本竞争对手。

三星电子的华城工厂（京畿道华城市）

　　本次启动量产的是被三星称为“第2代”的10纳米级DRAM，存储容量达到8GB。三星采用新设计，将数据传输速度提升超过10％，耗电量降低超过15％，主要面向数据中心的服务器。同时，三星还计划将新技术应用于智能手机等移动终端用DRAM。

　　三星2016年2月启动了10纳米级DRAM的量产。该公司仅表示，“各企业的标准有所不同”，并未透露具体数值。但有分析师分析称，“以往产品为18纳米，此次微细化水平达到15～16纳米”。随着微细化取得进展，1枚硅晶圆能生产的存储器数量会增加，生产效率将随之提高。因此除了部分用途之外，三星的DRAM基本上将全面转向10纳米级。

　　全球第2大DRAM厂商韩国SK海力士2017年秋季启动了18纳米DRAM的量产，但整体占比还不到1成。预计15～16纳米产品的量产要等到2018年秋季。在三星方面，目前超过5成产品已为10纳米级，正向着全面10纳米级迈进。

　　由于大数据和人工智能（AI）的普及使数据量呈爆炸式增长，DRAM和NAND型闪存的需求正在迅速扩大。2017年7～9月，三星半导体部门的营业利润达到9.96万亿韩元，同比增至近3倍，连续4个季度创出新高。

　　目前全球范围出现半导体存储器短缺。有观点认为，半导体行业进入了需求呈跨越式增长的“超级周期”阶段。韩国野村证券指出，“明年DRAM仍将供不应求”。三星将通过向尖端产品过渡来增加产量，以应对旺盛的需求。

　　三星持续对半导体工厂进行巨额投资，已在DRAM市场掌握约5成份额，在NAND掌握约4成份额，均高居全球首位。除了三星之外，DRAM市场上还有收购尔必达存储器的美国美光科技、SK海力士，形成3家垄断状态。三星将通过投入尖端产品来巩固领先地位。在数据中心的需求迅速扩大的NAND领域，三星也打算在技术开发方面领先，以甩开东芝等对手。

　　日本经济新闻（中文版：日经中文网）铃木壮太郎 首尔