NIKKEI——日本经济新闻中文版

      日本名古屋大学和旭化成的研究团队通过研究证实，使用氮化铝的功率半导体可比碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）大幅降低电力损失。纯电动汽车（EV）等配备的功率半导体如果使用氮化铝，有可能可以延长续航距离。

研究人员制造了氮化铝材质的pn结二极管（名古屋大学提供）

      负责EV等电力转换的功率半导体目前使用硅、碳化硅及氮化镓等材料。这些材料在功率半导体通电及反复打开关闭开关时，电会变为热而逃逸，因此会产生电力损失。为了延长EV续航距离及扩大利用可再生能源，采用损失更小的材料受到期待。

      氮化铝理论上比硅等的电力损失小，但难以制作元器件，一直没有被用于实证。功率半导体需要电子流动机制不同的2种半导体，而用氮化铝难以制造。

      此次，研究团队在旭化成的氮化铝基板上，用不同于原来的做法制造了2种氮化铝半导体，结果电子流动顺畅。据此构建了“pn结”这种对功率半导体不可或缺的结构。分析性能发现，单纯计算可将电力损失降至碳化硅及氮化镓的八分之一。

      名古屋大学的须田淳教授表示：“此次的成果表明氮化铝的品质良好。希望大约5年后，发布多种元器件”。