NIKKEI——日本经济新闻中文版

      日本早稻田大学乘松航教授等人的研究团队开发出了加热平整半导体基板表面的方法。比传统研磨方法更便捷，性能也更高，因此有利于改进半导体的制造工序。

加热后，表面的落差缩小

       团队利用纯电动汽车（EV）等的电力控制所需要的功率半导体材料碳化硅（SiC）进行了确认。碳化硅基板是把晶 块切成薄片来制造，截面上容易形成凹凸，不能直接使用。过去是结合多种方法进行研磨，但存在着内部容易出现损伤、表面形成落差的问题。

       研发团队把利用机械研磨后的碳化硅基板在氩气和氢气中加热10分钟到摄氏1600度，然后在1400度下保持一段时间。这时，表面从原子层面变得平整。由于只要加热即可，比传统方法更轻松，有利于缩短制造工序的时间并降低成本。除了碳化硅以外，有可能可以用于结晶构造相似的半导体材料氮化镓（GaN）及砷化镓（GaAs）。