NIKKEI——日本经济新闻中文版

      日本东北大学的助教山本卓也等人的研究团队开发出了利用人工智能（AI）探索适合相变存储器（PCRAM）的材料的方式。相变存储器作为新一代半导体存储芯片而受到期待。通过将计算机模拟和AI结合起来，可将耗电量降至此前的100分之1以下。随着弄清适合新一代存储器的特性，探索候选材料将变得容易。

       闪存用于SD卡和U盘等，但写入速度慢等成为课题，作为新一代存储器，PCRAM受到期待。美国英特尔等已实现PCRAM的实用化，但微细化技术存在课题。与其他新一代存储器相比，耗电量也更大，并未像闪存那样普及，需要探索提升性能的PCRAM材料。

      山本卓也助教等人针对50种条件，借助模拟使导热率和电导率等9项特性实现数值化。利用AI计算出作为材料的最佳特性。如果具备这种特性，与现在已实用化的PCRAM的材料相比，耗电量将降至100分之1。
   
       据称此次的方式不仅可用于半导体材料，还有望应用于电子元器件的最佳结构的探索等。