日法将合作开发1纳米级新一代半导体
2023/11/17
Rapidus、东京大学将与法国半导体研究机构Leti合作,共同开发电路线宽为1纳米级的新一代半导体设计的基础技术。2024年将正式开展人才交流和技术共享。将利用Leti的技术,构建有利于提高自动驾驶和人工智能(AI)性能的1纳米产品供应体制。
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Rapidus正与美国IBM、比利时半导体研究开发机构imec进行合作,量产将于2027年实现的2纳米产品。1纳米产品预计在2030年代以后普及,功率及运算性能比2纳米高1~2成。1纳米产品也在考虑寻求与IBM合作。日美欧合作有利于稳定供应新一代产品。
Rapidus、东大及理化学研究所等加入的研究机构“最尖端半导体技术中心(LSTC)”与Leti于10月签订了探讨合作的备忘录。
双方的目标是确立设计开发线宽为1.4纳米~1纳米的半导体所需要的基础技术。1纳米产品需要不同于传统的晶体管(元件)结构,Leti在该领域的成膜等关键技术上占优。最尖端半导体技术中心将在试制品评估及人才派遣等方面进行合作。
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