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东大将携手爱德万设计7纳米以下尖端半导体

2023/05/24

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半导体

  日本东京大学最近与爱德万测试(ADVANTEST)启动了设计尖端半导体的联合研究。计划设计电路宽度在7纳米以下的半导体,委托台积电(TSMC)代工。企业与大学展开合作,确立尖端半导体的设计技术,力争实现实用化。 

      

将具备7纳米尖端半导体的设计能力

   

  此外,凸版印刷、日立制作所、MIRISE Technologies、理化学研究所也将参与联合研究。将利用东京大学在研究方面积累的设计经验。采用软件领域一般在短时间内反复试制和改进的“敏捷开发(Agile Development)”方式,设计专用半导体芯片。通过自动化和部分工序的共通化,缩短芯片设计所需的时间。

        

  目前,在半导体制造领域,日本企业仅能应对数十纳米左右的产品。Rapidus正致力于开发2纳米的新一代产品,但目前能制造尖端产品的企业仅限于台积电、三星电子、英特尔等数家海外企业。

      

  作为发出制造委托的日本企业,无法仅靠1家代工企业应对的情况很多,难以积累设计经验。随着企业与大学携手,在掌握设计技术的同时,可借助集中委托增加数量,使制造变得容易。此外,还有望取得降低每家日本企业在芯片设计方面的成本的效果。

     

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