NIKKEI——日本经济新闻中文版

接受采访的美光科技CEO桑乔伊•莫罗特亚（5月18日上午，东京都千代田区）

      美国半导体存储芯片制造商美光科技公司将在今后数年向日本广岛县的DRAM工厂等日本国内最多投资5000亿日元。在日本政府的支援政策下，美光将在广岛县的工厂引进最尖端的生产线。美光首席执行官（CEO）桑乔伊·莫罗特亚(SanjayMehrotra)在接受日本经济新闻（中文版：日经中文网）的采访时透露了上述消息。还计划引进尖端的光刻设备，生产下一代的存储芯片。

      5月18日，美国、韩国和台湾等国家和地区的半导体企业首脑访问日本。18日上午，莫罗特亚与日本首相岸田文雄进行了面谈。莫罗特亚表示：“我们将在日本国内首次引进极紫外（EUV）光刻设备，自2026年左右开始生产最尖端产品”。美光到2025年将向日本引进极紫外光刻机，完善相关体制。他并未透露日本政府的具体援助金额。