NIKKEI——日本经济新闻中文版

      韩国三星电子6月30日发布消息称，已启动新一代尖端半导体的量产。影响半导体性能的电路线宽为3纳米（纳米为10亿分之1米），三星方面称属于“世界最领先的技术”。将加快尖端技术的开发，追赶在半导体代工领域排在世界首位的台积电（TSMC）。

三星在韩国华城园区启动了最尖端的3纳米芯片量产

      三星首次采用了被称为“全环绕栅极 (gate-all-around，简称GAA)”工艺的芯片结构。据称可高效控制微细电路内的电流，与正在量产的5纳米芯片相比，电力消费将减少45％，芯片面积也缩小16％。

      三星已在设有半导体研究所的韩国华城园区启动量产。首先将用于高性能计算机，今后还将应用于智能手机运算芯片。并未透露3纳米的最尖端半导体的客户名称。

      台积电计划今年下半年量产3纳米半导体。不过，行业内一般认为，电路线宽的测量方法因企业不同而存在差异，难以单纯比较。实际情况是很难说三星的“世界最领先技术”超过台积电。

      在半导体代工领域，两家公司的差距明显。台湾调查公司集邦咨询（Trend Force）统计显示，2022年1～3月台积电的市场份额为53.6％，远超居第2位三星的16.3％。三星在推动5纳米芯片启动量产和提高成品率走上轨道方面耗费较长时间，也有观点对“3纳米量产”的评价持慎重态度。

      日本经济新闻（中文版：日经中文网）细川幸太郎 首尔