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SK海力士开发出最先进176层NAND闪存

2020/12/08

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半导体

     韩国半导体大型企业SK海力士12月7日发布消息称,在用于保存数据的NAND型闪存方面,开发出了全球最先进的176层新产品。据悉,与现有的128层产品相比,数据保存性能提高35%。围绕176层产品,美国美光科技率先宣布开发出了产品,目前竞争十分激烈。

   

    NAND方面,为了通过堆叠保存数据的“存储元件”来增加数据容量,各厂商在元件堆叠数量上展开了竞争。美光11月发布消息称,成功开发出了176层产品。智能手机和个人电脑的数据容量不断扩大,SK海力士也打算以新产品来满足市场需求。

   

SK海力士的176层NAND闪存

 

    据SK海力士介绍,新开发的176层NAND可使数据的读取速度提高约70%,使数据写入速度提高约35%。除了智能手机之外,还可用于个人电脑和服务器配备的存储器“固态硬盘(Solid State Drive,SSD)”等。目前已开始向客户企业提供样品,计划2021年中期开始量产。

   

     在全球NAND市场占有36%份额的三星电子虽具备可在研究开发阶段实现176层产品的技术实力,但在“堆叠化竞争”上却与竞争对手存在一定差距。

   

    关于存储元件的堆叠,产品性能和成品率(合格率)的提高也存在达到极限的可能性,SK海力士好像也在探索与其他厂商不同的提高性能的策略。

    

    在两种主要存储器当中,SK海力士在用于临时保存数据的DRAM市场仅次于三星位居第二,但在NAND市场仅排在第5位。

   

   日本经济新闻(中文版:日经中文网)细川幸太郎 首尔报道

   

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