NIKKEI——日本经济新闻中文版

　　针对生产最尖端的电路线宽为5纳米的半导体时使用的光掩膜（Photomask，掩膜板），日本凸版印刷最早将于2021年构建量产体制。应对用于5G和自动驾驶的高功能半导体需求扩大。此外，还力争2023年面向3纳米线宽半导体实现光掩膜的产品化。

　　半导体的电路线宽越细，性能越高。目前台湾积体电路制造（台积电，TSMC）和三星电子已开始量产最尖端5纳米半导体，但这2家公司均自主生产光掩膜。生产5纳米线宽半导体需要支持新一代制造技术“EUV（极紫外）”的先进技术。

　　凸版印刷计划，在仅次于三星等的“第2集团”厂商开始生产5纳米半导体时，获得光掩膜的订单。据称随着5G和自动驾驶市场扩大，处理大量数据的半导体需求增加。在此背景下，除了大规模集成电路（LSI）之外，用于智能手机等信息存储的DRAM等也将迈向微细化。

　　要大量生产微细电路的半导体，光掩膜是不可缺少的零部件。其发挥犹如照片“底片”的作用，用于在硅晶圆上转印电路图。