台积电拟向3纳米线宽半导体投资超200亿美元
2017/12/08
全球最大半导体代工企业台湾积体电路制造（简称台积电、TSMC）联合首席执行官（CEO）刘德音12月7日表示，将向电路线宽为3纳米（纳米为10亿分之1米）的新一代半导体投资超过200亿美元。通过对尖端领域投入巨资，领先于韩国三星电子等竞争对手。
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| 台积电的半导体工厂 |
刘德音7日下午在台湾北部新竹发表演讲时透露了上述消息。目前美国苹果新款iPhone等配备的10纳米线宽半导体属于最尖端产品。7纳米产品将于2018年启动量产，3纳米产品预计2022年量产。目前已具体落实3纳米产品项目的企业只有台积电。新工厂建在台南。
半导体大体上分为负责存储的存储器和负责运算的逻辑半导体。台积电的产品以逻辑半导体为主，目前多面向智能手机。该公司认为，2018年7纳米产品量产以后，在面向人工智能（AI）和数据中心方面的需求有望激增。
在半导体领域，缩小电路线宽成为降低成本和提高性能的关键。一方面，电路线宽的缩小导致生产难度提高，制造设备的价格正在暴涨。荷兰半导体设备厂商阿斯麦（ASML）开发的“极紫外光刻（EUV光刻）”设备每台售价超过1亿欧元。
日本经济新闻（中文版：日经中文网）伊原健作 新竹
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