NIKKEI——日本经济新闻中文版

　　韩国三星电子日前宣布，位于中国陕西省西安市的半导体新工厂已正式投产。该工厂采用最尖端的3D技术，生产用于服务器等的NAND闪存（V-NAND）。三星电子希望在IT（信息技术）设备生产基地聚集的中国，构建可灵活供应作为基础部件的半导体的体制，以提高针对东芝等竞争厂商的竞争力。

　　三星在西安的工厂的总建筑面积为23万平方米，占地114万平方米。于2012年9月开工建设。最初投资金额为23亿美元。产能尚未公开。将根据市场情况等考虑增设生产设备，计划总投资额最多为70亿美元。由三星的全资子公司运营。

　　该工厂将生产垂直叠放存储元件的3D结构半导体。三星领先其他公司于2013年在韩国华城工厂率先导入了该项技术。电路线宽为10纳米级（一纳米为十亿分之一米）。据称，与平面型NAND闪存相比，3D型NAND闪存不仅写入速度更高，耗电量也大幅减小。

　　三星此前已在韩国和美国德克萨斯州设立半导体工厂，这是三星在第三个国家建设相关工厂。对在中国设立生产基地的原因，三星方面称，“中国IT领域非常活跃，全世界V-NAND芯片有一半销量在中国消化。在西安投产后，我们将就地供应，希望获得好的成绩”。

　　虽然韩国有人指出，在中国建设采用尖端技术的工厂会导致技术外流。不过三星认为，NAND闪存的技术门槛较高，涉足这一业务并非易事，所以不存在技术外流的问题。

　 （小仓健太郎　首尔报道） 版权声明：日本经济新闻社版权所有，未经授权不得转载或部分复制，违者必究。