NIKKEI——日本经济新闻中文版

     东芝将于2016年度携手韩国SK海力士共同启动可大幅提高智能手机等性能的新型半导体存储器的量产。与目前产品相比，存储容量将提高至10倍，同时可使配备这种存储器的终端设备的耗电量减少至3分之2。而美国美光科技(Micron Technology)则力争在2018年实现量产。

　 新型产品被称为MRAM（磁性随机存储器），其特点是即使关掉电源，数据也不会消失。MRAM有望成为广泛应用于个人电脑和智能手机等的DRAM的升级换代产品。

　 使用新型存储器后智能手机等的电池待机时间将延长，同时类似视频等的大量数据的交换将更加迅速。由于可实现电池等的小型化，眼镜或手表形状的移动信息终端的开发也有望得到推动。

　 东芝和SK海力士2011年就MRAM共同开发展开了合作，计划2014年度内启动试制品的供货。试制品将由位于首尔郊外的SK海力士主力工厂生产。如果进展顺利，2016年度将在韩国启动量产。如果得到普及，还将讨论建立合资公司，计划投入1千亿日元左右的资金，在日本或韩国建设专用生产线。

　 在MRAM领域，3大阵营正力争投入实用化。美光科技与半导体制造装置巨头东京电子等日美约20家公司联手，正在加快确立量产技术。而韩国三星电子也在进行开发。由于3大阵营在开发方面展开竞争，年供货额约达2万亿7千亿日元的DRAM的升级换代有望加速。
版权声明：日本经济新闻社版权所有，未经授权不得转载或部分复制，违者必究。