NIKKEI——日本经济新闻中文版

      富士电机将在2024～2026年度的3年内向半导体领域投资2000亿日元规模。重点将放在用于纯电动汽车(EV)电力控制等的功率半导体上，计划在日本国内工厂新建碳化硅(SiC)功率半导体的生产线，提高产能。意在抓住不断扩大的需求，带动下一个增长。

富士电机将增产功率半导体

      据悉，与此前用作半导体材料的硅相比，碳化硅在高硬度和耐久性方面表现突出，能够承受高电压和高电流。

      在截至2023年度的为期5年的现有中期经营计划中，富士电机一直以每年400亿日元的速度在半导体领域展开投资。从2024年度开始的3年新中期经营计划将改为每年700亿日元，加速投资。

      具体来说，富士电机将在松本工厂(长野县松本市)建设“光刻前工程”生产线。将在2027年度以后开始生产使用8英寸大型晶圆的碳化硅功率半导体。富士电机计划从2024年度开始在津轻工厂(青森县五所川原市)量产6英寸碳化硅功率半导体。通过进一步扩大晶圆尺寸，可用一块晶圆切割的芯片数量将随之增加，有望提高生产效率。