美国英特尔等半导体巨头将采用生产成本可降低一半的新一代技术。最早将于2017年将半导体材料晶圆的直径扩大至目前的1.5倍,把半导体芯片的生产效率提高1倍。这是英特尔时隔15年前再次加大晶圆尺寸。高性能半导体价格如果能得以降低,将有助于智能手机等便携终端和纯电动汽车等环保车厂商控制价格,从而推动产品的普及。
之前半导体技术革新的核心一直是通过电路的细微化来提高性能。而今后将转向通过晶圆直径由300毫米扩大至450毫米,把高性能半导体的生产成本降低一半。
日本的尼康公司从英特尔获得了在450毫米晶圆上绘制电路的半导体曝光设备订单。将于2015年向英特尔交付试制设备,价格在60亿日元左右,比现有设备高出约30%。计划2017年实施量产,预计供货总额将达几百亿日元。
此次尼康对设备进行了改进使晶圆变重,绘制微细电路的精度也不会降低。尼康希望凭借支持450毫米晶圆来引领技术革新,追赶在曝光设备领域握有全球80%份额的荷兰阿斯麦公司。
据国际半导体制造设备与材料协会(SEMI)推算,向大尺寸晶圆过渡仅研发经费一项就需要400亿美元。再加上生产设备价格的提高,原本就需要2000亿~3000亿日元的半导体工厂的建设费用将进一步增加。
全球有能力进行巨额投资的只有英特尔、韩国三星电子和最大的半导体代工厂商台湾台积电(TSMC)等几家。日本的半导体巨头中,考虑大尺寸晶圆的只有NAND型闪存方面排名全球第2的东芝。
2001年前后晶圆开始由200毫米晶圆向300毫米晶圆转换。当时日立制作所和富士通等日本企业处于领先地位,但由于没能获得足够的半导体订单,工厂开工率低迷、业绩出现恶化。
在此次的技术革新中,无法承担巨额投资的半导体厂商不得不转做设计和开发,因此很可能引发业界企业重组。
而大尺寸晶圆对国际竞争力很强的日本制造设备和材料厂商来说将是巨大的商机。
版权声明:日本经济新闻社版权所有,未经授权不得转载或部分复制,违者必究。