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铠侠研发出约170层NAND型闪存技术

2021/02/19

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半导体

      日本半导体制造商铠侠(Kioxia,原东芝存储器)研发出了约170层存储单元堆叠的NAND型闪存技术,达到世界最先进水平。读写速度是现有112层产品的两倍以上。在5G不断普及的背景下,铠侠认为高速、大容量的数据交换将增加,计划开拓数据中心和智能手机的需求。

  

  

      该技术由铠侠与美国西部数据(WD)共同开发,将在“国际固态电路会议(ISSCC)”上发布。将于2021年内投产,预计最早于2022年量产。

 

      铠侠的竞争对手美国美光科技和韩国SK海力士已宣布开发出176层产品。围绕最尖端产品的开发竞争越来越激烈。

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