NIKKEI——日本经济新闻中文版

       东芝将于2017年度采用新技术生产用于智能手机等的NAND型闪存。这是一种类似于盖印章的电路形成技术，与原来的方式相比，工序成本被认为可降至三分之一。该类型存储器的生产是处于经营重建的东芝的核心业务。将通过与大日本印刷等材料和设备厂商合作提高成本竞争力，以追赶份额高居榜首的韩国三星电子。

       东芝将导入与大日本印刷和佳能3家公司共同研究的名为“纳米压印光刻（NIL）”的新技术。计划今后3年向半导体业务投资8600亿日元，其中一部分将被用于引进采用新技术的闪存生产线。计划于2017年度在三重县的四日市工厂启动生产，并在预定于2018年度投产的新制造车间完工后正式进入量产体制。

       与原来的方式相比，新技术将电路底板像印章一样盖压到硅晶圆上，可将名为光刻工序的电路形成阶段的成本降至三分之一左右。

       此前的方式需采用特殊光源装置和高精度透镜，设备成本较高。从存储器的整个制造工序来看，预计可削减成本约10%。

       NAND型闪存在手机视频等数据存储用途方面的需求一直不断增加。除了智能手机之外，今后面向数据中心存储装置的市场估计也将持续扩大。

       东芝通过出售白色家电业务及医疗设备子公司，将经营资源集中到半导体及核电设备等领域，以加紧进行经营重组。在作为半导体业务的主力、全球市场份额排名第二的NAND型闪存领域，将通过向四日市工厂进行巨额投资以及引进新技术来追赶三星。

       围绕半导体的电路形成技术，荷兰半导体设备厂商阿斯麦（ASML）正在美国英特尔和三星的帮助下，研发采用被称为超紫外线的短波光“EUV曝光”技术。由于利用此前的技术已难以提高半导体的性能，因此东芝等全球半导体厂商竞相开发新一代生产技术，并将其投入实用。
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