迪思科研发新设备,切割碳化硅晶圆速度快10倍
2023/12/12
全球最大的半导体切割设备制造商迪思科开发出了车用节能半导体的新型切割机,速度是过去的10倍。碳化硅(SiC)作为半导体材料的功率效率很高,但材质偏硬很难加工。迪思科将确立新一代功率半导体的量产技术,有望推动纯电动汽车的普及。
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迪思科研发的新设备 |
已开始面向部分客户供货,将在订单增加之后正式量产。
碳化硅能降低电损失,来自EV及发电站等的需求迅速扩大。硬度是主流硅的1.8倍,在现已确认的矿物及化合物中,硬度仅次于钻石和碳化硼,是第三硬的物质。
现在的节能半导体用磨石切割圆盘状半导体材料,将其分割成几百个半导体芯片。与磨石相比,激光的切割速度更快,但激光切割碳化硅的力量很弱。
迪思科开发的设备利用激光刻痕,再用板施压以实现切割。切割速度是磨石的大约10倍。每台设备数千万日元,将向全球半导体厂商扩大销售。
使用碳化硅的晶圆价格比硅高几十倍。如果更方便加工,在量产效应下的生产效率会提高。有可能带来半导体材料及节能半导体的价格下跌。日本国内的设备和材料厂商正在提高碳化硅的量产技术。KOKUSAI ELECTRIC将于2025年销售高温晶圆表面贴膜的新设备。
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