韩国大型半导体企业SK海力士8月3日宣布，开发出了主要半导体存储器“NAND型闪存”的最尖端产品。把存储数据所使用的存储器元件层叠238层，可以将半导体芯片单位面积的数据容量比现行产品提高34％。该公司将于2023年上半年开始在韩国的工厂量产。

 

SK新开发的238层NAND型闪存

  

       半导体领域一直通过缩小电子电路线宽的“微细化”提高性能。智能手机及个人电脑等数据存储使用的NAND不再比拼微细化，而是比拼层叠存储器元件的层数。SK的竞争对手美国美光科技7月宣布已开始量产232层的NAND产品。

 

       与SK现有的176层产品相比，238层不仅可以提高数据容量，还能将数据传输速度提高50％，读取数据时的耗电量削减21％。

 

       在NAND市场排在首位的韩国三星电子正在量产176层产品，铠侠控股与美国西部数据的联盟计划2022年内开始量产162层产品。SK于2021年收购了美国英特尔的NAND业务，将使尖端产品量产步入正轨，挑战三星。

 

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