铠侠将在四日市工厂建设第7栋厂房（预定建设位置为照片右上部分）

  

      10月29日，日本半导体制造商铠侠株式会社(KIOXIA Corporation，原东芝存储器）宣布，将在四日市工厂（三重县四日市市）建设生产闪存的新厂房。看好来自“5G”的需求，设备投资额预计达到1万亿日元规模。该公司刚刚决定推迟10月的上市，筹集资金的手段有限，但在面临中韩企业攻势的背景下，为了维持第2位的宝座，将投入巨额进行豪赌。

 

      “就算上市推迟，也要维持设备投资”

 

      铠侠以美国制裁中国华为技术导致的业务环境恶化为由，9月28日宣布推迟原定10月在东京证券交易所的首次公开募股（IPO）。即便如此，铠侠高管一直如此重申：“就算推迟上市，为了成为强大的第2名，也必须维持设备投资”。

 

      设备投资将与合作伙伴美国西部数据(WD）共同实施，双方各出资5000亿日元。工厂建设分为2期，2021年春季启动工程。厂房面积合计为4万平方米，在该公司的厂房中成为最大规模，最早2022年内投入运转。

 

      “为满足将来的需求和开发新一代技术，我们决定与铠侠合作”，西部数据的首席执行官（CEO）David Goeckeler于28日强调。2家企业刚刚于2020年在岩手县北上市将新工厂投产，计划争取5G全面普及下出现的数据中心等存储器需求。

 

      决断的背景是中韩企业的攻势

 

      铠侠连续决定的巨额投资背景是中韩企业的攻势。在闪存市场，排在首位的韩国三星电子掌握35.9％的份额。2019年底宣布向中国西安工厂追加投入80亿美元，将甩开排在第2位的铠侠（19.0％）。

 

      在中国政府的扶持下，中国半导体制造商紫光集团旗下的长江存储科技（YMTC）也在稳步提升技术实力。4月宣布在影响存储容量的层数方面成功开发出了世界最尖端水平的“128层”。

  

  

      此外，行业内的重组动向也浮出水面。闪存业务居第5位的韩国SK海力士10月宣布斥资约90亿美元收购美国英特尔的闪存业务。预计收购完成要等到2025年，但如果成功实现，单纯计算将掌握19.4％的份额，超过铠侠跃居第2位。

 

      SK海力士持有铠侠的附新股认购权公司债（可转换公司债券、CB），计划在铠侠上市后取得约15％的股权。承诺在2028年之前只要没有与铠侠的协议，持股将不会超过15％，但期限过后有可能增持。

 

      行业相关人士有观点认为，“如果SK海力士持续扩张，铠侠有可能被吞并”。由于这种警惕感，铠侠似乎希望在SK海力士的业务收购完成之前扩大产能。

 

      5G普及下值得期待的需求扩大

 

      不仅是受益于5G普及的NAND型闪存，数据中心采用的DRAM的需求扩大也令人期待。在DRAM市场，三星、SK海力士和美国美光科技等3强掌握9成份额，但NAND型闪存领域尚未形成这样的垄断，预计重组将加速。

 

      包括存储器以外的半导体在内，以中国等为代表，正在以举国之力支援生产，为了争夺最尖端技术的主导权，美国对部分企业实施出口管制，包括国家间政策在内的竞争正日趋激烈。

 

      日本国内企业由于政企合作项目的效果，日立制作所、富士通和NEC等也曾有过席卷世界DRAM市场的时期，但在投资竞争中失败，失去了竞争力。再加上东芝的经营危机，海外企业的资本也将进入，但铠侠仍是硕果仅存的日本国内半导体制造商之一。

 

      不过，铠侠的有息负债超过1万亿日元。海外的机构投资者指出，“虽然保增长投资的决断显得很积极，但财务状况仍存在隐忧”。能否借助伴随风险的巨额投资守住“强大第2位”的宝座？这不仅考验铠侠的中长期战略，也预示着日本国内半导体行业能否再让世界认识到其重要性。

 

      日本经济新闻（中文版：日经中文网）广井洋一郎

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