韩国三星电子的半导体存储器主力基地平泽工厂的第二生产线投产。采用能大幅提升半导体性能、被称为“EUV（极紫外）”的制造技术，开始供应最尖端的DRAM。在竞争对手还在对增产投资犹豫不决的情况下，最大存储器企业三星仍持续进行投资。

 

       平泽工厂第二生产线的总建筑面积约为13万平方米，相当于16个足球场。计划以此次的DRAM为开端，今后还将推进NAND型闪存的量产和半导体代工业务，总投资额超过30万亿韩元（约合人民币1730亿元）。

 

三星平泽工厂的第2条生产线（前）

 

       开始供货的最尖端DRAM是被称为“16GB LPDDR5”的智能手机半导体。在存储器生产中首次采用EUV技术，将半导体电路线宽缩小了1个级别。

 

       三星没有透露具体数字，但有分析认为，电路线宽为15~16纳米。该公司计划到2021年量产下一代DRAM。

 

       在DRAM的开发竞争方面，制造技术的难度逐渐提高，各家厂商此前一直停滞在17~18纳米。

 

       日本经济新闻（中文版：日经中文网）细川幸太郎 首尔

 

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