美国半导体企业美光科技（Micron Technology）将增产用于智能手机等产品的半导体存储器。将向去年收购的原尔必达存储器位于日本广岛的工厂投资1千亿日元，力争2015财年（截至15年8月）内将产能提高20%。今年美光科技在该工厂时隔3年重启大规模投资，计划通过积极投资来追赶在相关领域位居全球首位的韩国三星电子。

      美光科技将在广岛增产使用最尖端微细加工技术（线宽为20纳米）的DRAM。和上一代25纳米线宽相比，从1枚晶圆上可以获得的半导体芯片数量将增加约20%，生产效率将大幅提高。美光科技还将在旗下的台湾工厂实施增产投资，争取将美光整体的DRAM供给能力提高20%。

      美光本财年计划在全球实施38亿美元的设备投资，将把一半左右用于DRAM。该公司的首席执行官（CEO）马克·杜尔坎(Mark Durcan)在接受日本经济新闻（中文版：日经中文网）采访时表示“移动终端和服务器等产品的DRAM需求旺盛，今后也将根据市场动态，积极实施投资”。

      关于长期保存数据的NAND型闪存，杜尔坎表示将在2015年推出使用最尖端三维技术的产品。三星占据领先优势的产品方面，计划在原尔必达的秋田工厂完成部分生产工序。
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